スパッタリング装置

研究開発用 多元同時スパッタリング装置

スパッタリング装置は、真空中で金属材料の薄膜を製造する真空装置で様々な薄膜形成に利用されています。
真空チャンバーの中にターゲット電極と基板電極が向かい合って配置され、ある圧力条件下でガス(アルゴン等)を導入し高電圧を印加する事でターゲットと基板間に高密度プラズマを発生させます。プラズマの中ではイオン化されたガスがターゲットに向かって加速し、金属材料に高速で衝突します。衝突の衝撃で金属原子がターゲットから飛び出し基板に付着する性質を利用して薄膜ができます。

スパッタリング装置は様々なメーカーで用途毎に様々な仕様の装置が存在しますが、東横化学では、シンプルな構造でありながら、多元同時に放電しつつ基板がMAX950℃の高温条件で100rpmという高速回転を実現した高機能な研究開発用スパッタリング装置を扱っています。

複数の材料を同時に均一に成膜することで、合金のような薄膜を形成したり、条件を導き出す実験に活用する事ができます。

研究開発用 多元同時スパッタリング装置

多元同時スパッタリング装置 特徴

  • シンプルな仕様から高機能まで目的に合わせた装置を設計、納入後の改造も見据えて拡張性も持たせる事も可能
  • 多元同時放電の他、基板の高温活性化(MAX950℃)や反応性スパッタなど様々な目的に対応

放電の様子(アルミのスパッタ)

放電の様子(アルミのスパッタ)

多元同時スパッタリング装置 用途

  • 半導体、電子部品、自動車部品、機能材料、機能ガラス、デバイス、メディア、フィルム、食品包装材への成膜
  • メッキや蒸着からのステップアップ、短時間で均一に高精度な膜付け制御が必要な用途
  • 単相膜、多層膜、積層、新材料、新素材の研究開発、各種実験、小規模生産

実績例 : 三元同時スパッタリング装置

  • 新材料の研究開発・実験を目的とした多機能スパッタリング装置。
  • 基盤温度950℃を維持しながら3種類の材料を同時に飛ばし成膜する事が可能。
  • 材料が均等に成膜されるように基盤回転速度をMAX100回転/分で成膜(回転速度変更可能)。
  • 基盤とターゲット間の距離(T/S)も±50mmとワイドに調整可能。

三元同時スパッタイメージ

三元同時スパッタイメージ

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